“相声要教育人是犯罪”和“相声可以教育人”是两个针锋相对的观点，在网络上引发了很多争论，相声只是图一乐还是相声应该寓教于乐？ 但是，很多网友参与争论的时候不知道想没想到过一件事，这两种观点....
来源：橙子不糊涂（微信公众号）
终于有机会聊点半导体，这个事儿挺有价值，之前就发布了，大概看了一下没在意。但不知道为什么十来天后突然发酵了。
核心：
1，这是干式光刻机，造不出来28nm工艺；8nm光刻机纯扯；
2，28nm光刻机实际上是ArFi浸没式光刻机，虽然不该“28nm光刻机”这么叫，但是这么叫好理解，就是可以用在28产线上的光刻机。
这个和干式的区别就是曝光系统模组下有没有水作为介质；光从玻璃，经过水作为介质，折射角要远小于空气，所以193nm的波长等效为134nm波长。
A L的193nm浸没式光刻机，能实现大约22nm左右的单次曝光。实际g e length 并不是22nm，但是这不太重要。因此28nm不需要多曝来实现，用不着。
从公开的这个信息，这是干式光刻机，只能做65nm工艺。
3，多重曝光：用在浸没式工艺技术里面，主要生产14nm-7nm“先进制程”工艺。别说28nm了，14nm用多曝现在都有点勉强，昂贵、复杂，要改良到比如12，10，性能提升一些价格不变会好一点。当年台积电和3星都在14nm节点大力搞多曝，抢苹果。
后来到了7nm用一下，也因为太昂贵，效率太低，在台积电就生存了一年，就转用EUV了。
多重曝光的手艺是当年intel投入重金搞的，结果后来还沉迷不可自拔…
多曝有LELE，LFLE和SADP/SAQP三种。
LELE，Lith-Etch-Lith-Etch，光刻-刻蚀-光刻-刻蚀。把原来一层光刻图形，划分到两个或多个掩膜上，搞了一次图像叠加。这个好想象。
LFLE，Ltiho-Freeze-Ltiho-Etch，光刻-固化-光刻-刻蚀。和LELE本质差不多，省一道刻蚀工序，降低成本。
SADP是SelfAlignedDoubleP terning自对准双重图形化以及SAQP四重曝光技术（好像前一段时间华为弄了个4重曝光的专利）。本质原理都差不多。
重点是：4曝也是Intel在10nm以后搞的，玩的不亦乐乎，结果突然EUV来了，Intel大呼上当。我在练射箭手艺，你给台积电造了一把冲锋枪。
我的观点很明确：多曝搞先进制程没有经济价值，甚至于对于当前的中国，连工艺研发和产业价值都有限。我们落后太多了，后追者不可能遵循摩尔定律，这是领先研发的节奏。
确实战略意义重大， 了生存问题，突破了封锁。但经济利益有限，不过产业节奏会跨越式发展。
我们不可能65，40，28，14，7迭代的去做。必须就是快速的完成ArFi->EUV，DUV做到14小规模搞一搞产能（乐观的话可能3-5年时间），主要是在设备制造工程领域的积累。上微可以和手艺好的客户合作多曝弄点7nm，然后就是要做EUV，这个过程毛估估也得10年起步。
华为可以搞，因为华为太超前了，不计代价弄一点等效5nm的手艺，已经登峰造极，其实工艺没太大量产意义…良率必然低，成本必然极高，也不算什么技术上的突破，是一种雕花工艺，但达成目标确实很牛。产能也会有限，但没办法我们没有EUV。
4，套刻精度：8nm，跟所谓8nm光刻机一分钱关系没有。之后有机会再单独讲套刻精度，这个比较有意思。
5，关于进度：
我理解这些都算是公开信息，老外早就各种报道了。
实际上，之前有一些资深的业内朋友在讲今年就会有明显进步，但目前看…
光刻机到了量产阶段，稳定性压倒一切。我们要保证这个复杂的机器能够稳定、 的工作若干年。
6，关于光刻机的投资行情：
有点牵强…市场期待的是28nm，甚至14nm光刻机量产，对应1970i，1980i的水平。所以一点消息快两周了，今天突然上了热搜。
这种东西需要持续催化才行，最起码要无法证伪。但是现在证伪太容易了。所以没行情，肯定没持续行情。
真的还是要等ArFi官宣，一波确定的 主线机会就来了。
（全文完）
